厚度与应变对纳米结构 Bi2Se3 热电输运的影响
材料科学
2014-02-19 v1
摘要
利用范德华密度泛函理论和半经典玻尔兹曼理论，研究了 1 至 6 个五原子层 (QLs) Bi2Se3 的结构稳定性、电子结构和热输运性质。单个 QL 的带隙为 0.41 eV，当 QL 数量增加至六个时减小为 0.23 eV。单个 QL 的热电优值 (0.27) 显著高于块体材料 (0.10)，通过引入 2.5% 的压缩应变可进一步提升至 0.30。应变下的正声子频率表明结构稳定性得以保持。
引用
@article{arxiv.1402.4255,
title = {Thickness and strain effects on the thermoelectric transport in nanostructured Bi2Se3},
author = {Y. Saeed and N. Singh and U. Schwingenschlog},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.4255},
year = {2014}
}