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一维 $2^n$ 次根拓扑绝缘体与超导体

介观与纳米尺度物理 2021-06-23 v3 其他凝聚态物理

摘要

平方根拓扑是近期兴起的一个子领域,描述了一类绝缘体与超导体,其拓扑性质仅在对哈密顿量平方后才显现,即起始平方根模型的有限能量边缘态的拓扑特征继承自平方后模型中已知拓扑绝缘体/超导体的零能边缘态。聚焦于二维模型,我们展示了如何将这一概念推广至 2n2^n 次根拓扑绝缘体与超导体(nn 为任意正整数),并在此系统化了其构造规则。借助图论,我们引入了 2n2^n 次根拓扑绝缘体/超导体的树形结构概念,该概念通过一系列平方运算及随后的常数能量平移,将任意 nn 下起始模型的哈密顿量与已知拓扑绝缘体/超导体的哈密顿量(被认定为拓扑特征的来源)相连。我们的工作为将 2n2^n 次根拓扑推广至更高维系统铺平了道路。

关键词

引用

@article{arxiv.2102.12635,
  title  = {One-dimensional $2^n$-root topological insulators and superconductors},
  author = {A. M. Marques and L. Madail and R. G. Dias},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2102.12635},
  year   = {2021}
}

备注

19 pages, 15 figures