$2^n$ 次根弱拓扑、陈拓扑与高阶拓扑绝缘体及 $2^n$ 次根拓扑半金属
介观与纳米尺度物理
2021-10-14 v2
摘要
近来，我们在 [A. M. Marques et al., Phys. Rev. B 103, 235425 (2021)] 中引入了 次根拓扑的概念，并将其应用于一维系统。这些模型需要对其哈密顿量进行 次平方操作，且在每一层级间插入不同的常数能量下移，从而得到一个对应于已知拓扑绝缘体（TI）的解耦块，该拓扑绝缘体充当起始 次根拓扑绝缘体（）拓扑特征的来源。在此过程中，会出现 个具有简并谱和带隙内杂质态的非拓扑残余模型，它们稀释了起始边缘态的拓扑保护成分。在此，我们将该方法推广到若干二维模型，找到了承载陈绝缘体以及拓扑半金属的弱边界模与高阶边界模（包括拓扑与非拓扑）的晶格的 4 次根版本。我们进一步表明，一个在参数空间具有非厄米区域且具复能谱的起始模型，其所有连续平方版本仍可呈现纯实数能谱，从而允许在某些非厄米模型与其厄米低根次对应模型间建立精确映射。我们就这些模型在人工晶格中的可能实现作了评述。
引用
@article{arxiv.2107.13974,
title = {$2^n$-root weak, Chern, and higher-order topological insulators, and $2^n$-root topological semimetals},
author = {A. M. Marques and R. G. Dias},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13974},
year = {2021}
}
备注
21 pages, 14 figures