$q$次根非厄米 Floquet 拓扑绝缘体

Floquet 物态因其独有的非平衡特性中的动力学与拓扑性质而备受关注。本工作中，我们提出一种通用方法，可对描述 Floquet 拓扑物质的演化算符 $U$ 取任意整数 $q$ 次根。我们进一步将 $q$ 次根操作应用于获得 $2^n$ 次与 $3^n$ 次根的一阶和二阶非厄米 Floquet 拓扑绝缘体（FTIs）。在此，我们明确展示了在分数准能量 $\pm(0,1,...2^{n})\pi/2^{n}$ 与 $\pm(0,1,...,3^{n})\pi/3^{n}$ 处存在多重边缘与角模式，其数量可由母系统的拓扑不变量高度可控地刻画。值得注意的是，我们观测到非厄米性诱导的分数准能量角模式，以及非厄米趋肤效应与分数准能量边缘态的共存。因此，我们的发现为在 Floquet 开放系统中构造一类引人入胜的拓扑物质建立了框架。