Floquet 例外拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2024-02-23 v1 强关联电子
量子物理
摘要
我们提出一种通过在非厄米(NH)系统中实施 Floquet 工程来调控例外拓扑的新方法。我们引入 Floquet 例外拓扑绝缘体，其源于对传统三维 NH 拓扑绝缘体施加光照。光-物质相互作用促使物质的量子相展现出一种新现象：体中的点隙容纳表面态。这些独特的表面态要么填满复本征谱中的点隙，要么在磁场存在时呈现例外点。我们还强调了由光致调制产生的量子反常的存在。Floquet 双正交陈数和谱缠绕数的存在表明，动量切片表现出 NH 趋肤效应，尽管整个系统并未表现。我们还利用波动力学演化来说明 NH 表面趋肤效应。
引用
@article{arxiv.2301.13119,
title = {Floquet Exceptional Topological Insulator},
author = {Gaurab Kumar Dash and Subhajyoti Bid and Manisha Thakurathi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.13119},
year = {2024}
}
备注
18 pages, 12 figures