马提尼晶格上的高阶拓扑绝缘体及其平方根后裔
介观与纳米尺度物理
2023-02-23 v2
摘要
平方根拓扑绝缘体的概念近来已推广至高阶拓扑绝缘体。在二维平方根高阶拓扑绝缘体中,隙内角态的出现继承自具有高阶拓扑的平方哈密顿量。本文提出马提尼晶格模型作为高阶拓扑绝缘体的具体实例。此外,我们还基于马提尼模型提出一种平方根高阶拓扑绝缘体。具体地,我们提出带双站点修饰的蜂窝晶格模型,其平方哈密顿量由两个马提尼晶格模型组成,可实现平方根高阶拓扑绝缘体。对这两个模型,我们均展示在有限能量处出现隙内角态,且它们由非平庸的体 拓扑不变量保护。
引用
@article{arxiv.2207.14540,
title = {Higher-Order Topological Insulator on a Martini Lattice and Its Square Root Descendant},
author = {Daiki Matsumoto and Tomonari Mizoguchi and Yasuhiro Hatsugai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.14540},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 10 figures