无隙拓扑超导体——模型哈密顿量与实现
超导电性
2015-07-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
体谱中存在激发能隙是物质拓扑相最显著的标志之一。在本文中，我们提出了一族二维哈密顿量，产生一类不寻常的D类拓扑超导体，其具有无隙体谱但良好局域的Majorana边缘态。我们对这一相的一个代表性模型进行了数值分析，并通过分析磁杂质对强拓扑绝缘体表面的影响，提出了具体的物理实现。
引用
@article{arxiv.1503.04845,
title = {Gapless Topological Superconductors - Model Hamiltonian and Realization},
author = {Yuval Baum and Thore Posske and Ion Cosma Fulga and Björn Trauzettel and Ady Stern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04845},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 10 figures