量子极端孤岛化简法，第二部分：膜上的黑洞
高能物理 - 理论
2020-10-02 v1
摘要
我们基于 arXiv:2006.04851 引入的膜世界模型，讨论 d 维中与热库接触的极端与非极端黑洞的全息模型。我们 setup 的主要益处在于，与先前高维工作相比，它允许高度的解析控制。我们表明，这些模型中量子极端孤岛的出现是 RT 面相变这一已被充分理解的现象的后果，且不直接涉及系综平均。对于非极端黑洞，量子极端孤岛的出现具有避免任意维信息悖论的正确行为。我们进一步表明，对于这些模型，任意维中完整 Page 曲线的计算是可能的。该计算化简为数值求解两个 ODE。在高维极端黑洞情形，我们对广泛参数范围未发现量子极端孤岛。在二维中，我们的结果在领头阶与 arXiv:1910.11077 一致；然而膜引入的有限 UV 截断导致次领头阶修正。例如，这些修正使量子极端面进一步移离视界，并将 Page 转变略微提前。
引用
@article{arxiv.2010.00018,
title = {Quantum Extremal Islands Made Easy, Part II: Black Holes on the Brane},
author = {Hong Zhe Chen and Robert C. Myers and Dominik Neuenfeld and Ignacio A. Reyes and Joshua Sandor},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00018},
year = {2020}
}
备注
84 pages, 24 figures