利用高电子亲和能非晶MoO3实现单层WSe2场效应晶体管的p型欧姆接触
介观与纳米尺度物理
2022-06-23 v1
摘要
1 澳大利亚莫纳什大学物理与天文学院，克莱顿，维多利亚3800，澳大利亚 2 澳大利亚研究理事会未来低能耗电子技术卓越中心（FLEET），莫纳什大学，克莱顿，维多利亚3800，澳大利亚 3 美国哥伦比亚大学机械工程系，纽约，纽约10027，美国 4 美国哥伦比亚大学应用物理与应用数学系，纽约，纽约10027，美国 5 澳大利亚墨尔本大学物理学院，墨尔本，维多利亚3010，澳大利亚 6 日本国立材料科学研究所功能材料研究中心，筑波市并木1-1，305-0044，日本 7 日本国立材料科学研究所国际材料纳米构筑研究中心，筑波市并木1-1，305-0044，日本 8 澳大利亚新南威尔士大学物理学院，悉尼2052，澳大利亚 9 台湾大学凝态科学研究中心及原子新材料倡议中心，台北106，台湾 10 澳大利亚莫纳什大学原子薄材料中心，克莱顿，维多利亚3800，澳大利亚
引用
@article{arxiv.2206.11096,
title = {P-type Ohmic contact to monolayer WSe2 field-effect transistors using high electron affinity amorphous MoO3},
author = {Yi-Hsun Chen and Kaijian Xing and Song Liu and Luke Holtzman and Daniel L. Creedon and Jeffrey C. McCallum and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Katayun Barmak and James Hone and Alexander R. Hamilton and Shao-Yu Chen and Michael S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.11096},
year = {2022}
}