强无序二维绝缘体的弗雷德霍姆同伦
数学物理
2022-11-30 v4 介观与纳米尺度物理
泛函分析
math.MP
谱理论
摘要
我们研究了二维费米子时间反演不变拓扑绝缘体在强安德森局域化 regime 下的拓扑指标。我们设计了一种方法,在这些系统背景下对出现的某些弗雷德霍姆算子进行插值。我们利用该技术证明了具有(费米子)时间反演对称性(AII类)的迁移率带隙二维拓扑绝缘体的体边对应,并为 Elgart-Graf-Schenker (2005) 关于强无序整数量子霍尔系统体边对应的定理提供了另一条证明路径。我们还给出了迁移率带隙 regime 下 指标稳定性的证明。这些二维结果可作为研究高维 指标的模型。
引用
@article{arxiv.2110.07068,
title = {Fredholm Homotopies for Strongly-Disordered 2D Insulators},
author = {Alex Bols and Jeffrey Schenker and Jacob Shapiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.07068},
year = {2022}
}
备注
21 pages, 2 figure