通过控制虚拟衬底掺杂降低应变硅纳米p-MOSFET的寄生电容
介观与纳米尺度物理
2015-08-19 v1
摘要
基于虚拟SiGe衬底的双轴应变硅沟道p-MOSFET在虚拟衬底中存在寄生并联沟道。该沟道参与流经器件的电流并增加寄生电容，从而劣化高频响应。本文引入了一种消除该沟道的新方法，进而降低MOSFET的寄生电容。结果表明，增加虚拟衬底掺杂能够减少并最终消除这一非预期沟道。本工作使用二维仿真来研究所提方法的影响。
引用
@article{arxiv.1508.04251,
title = {Reducing parasitic capacitance of strained Si nano p-MOSFET by control of virtual substrate doping},
author = {Mohammad Mahdi Khatami and Majid Shalchian and Mohammadreza Kolahdouz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.04251},
year = {2015}
}
备注
5th International Congress on Nanoscience & Nanotechnology (ICNN2014)