环单元和多带宇称绝缘体中的相位拓扑不变量
介观与纳米尺度物理
2026-05-04 v3 高能物理 - 格点
摘要
过去几年研究了拓扑相的激励动力学，动力学拓扑不变量以不同方式被形式化。然而，这些不变量大多局限于由 Gamma 矩阵展开的最小化系统。本文将两能带系统中的 3-环绕数推广到通用多带 Chern 绝缘体中的情形，并证明其数值等于后激励和前激励哈姆顿量的 Chern 数之差。此外，我们获得了一种由无能隙费子在相位带中表示的 3-环绕数表达式，仅依赖于相位及其正交投影，适用于所有多带 Chern 绝缘体的激励。此外，我们通过对三能带模型的激励获得了 (k, t) 空间中的多倍费子，这一现象在两能带模型中无法发生。
引用
@article{arxiv.2406.09797,
title = {Loop unitary and phase band topological invariant in generic multi-band Chern insulators},
author = {Xi Wu and Ze Yang and Fuxiang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.09797},
year = {2026}
}
备注
12 pages, 3 figures