伊桥态、带边界的拓扑序与拓扑纠缠熵
高能物理 - 理论
2019-04-24 v2 其他凝聚态物理
量子物理
摘要
在本文中，我们研究 2+1 维玻色拓扑序中的带隙边缘/界面，并探讨拓扑纠缠熵如何对它们敏感。我们利用阿贝尔 Chern-Simons 理论中任意子凝聚的物理，对描述这些边缘/界面的伊桥态进行了详细分析，随后将其推广到边缘 RCFT 已知的更多非阿贝尔理论。然后我们将这些结果应用于计算不同拓扑序的纠缠熵。我们考虑系统位于具有带隙边界的圆柱上且纠缠割线平行于边界的情况，也考虑纠缠割线与圆柱上的界面重合的情况。在两种情况下，我们发现拓扑纠缠熵由刻画界面/边界的任意子凝聚模式决定。我们注意到，边缘理论中的一些非普适参数需满足一定条件以确保共形界面的存在，这类似于要求紧致玻色子的半径比为有理数。
引用
@article{arxiv.1901.08238,
title = {Ishibashi States, Topological Orders with Boundaries and Topological Entanglement Entropy},
author = {Jiaqi Lou and Ce Shen and Ling-Yan Hung},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.08238},
year = {2019}
}
备注
38 pages, 5 figure; Added reference