拓扑纠缠熵中歧义性的刻画
强关联电子
2023-12-04 v3 高能物理 - 理论
数学物理
math.MP
摘要
拓扑纠缠熵(TEE)作为拓扑序纠缠熵的次主导项,是长程纠缠的直接证据。虽然在闭流形上刻画拓扑序十分有效,但当纠缠割线物理性带隙边界相交时,TEE是依赖于模型的。本文通过引入一种对具有带隙边界的拓扑序进行分区的模型无关图像,研究此种模型依赖性的起源。在我们的图像中,纠缠边界(EBs,即由纠缠割线诱导的各子系统的虚拟边界)被假设为带有边界缺陷的带隙边界。在这一模型无关阶段,定义二分划时须手动作出两种选择:EBs上的边界条件,以及某些边界态之间的相干性。我们表明,TEE的出现源于EBs上缺陷构型的一种约束,该约束在EBs接触带隙边界的情形下依赖于选择。这种选择依赖性即纠缠熵中的歧义。不同模型本质上采用不同选择,致使TEE依赖于模型。对于Z2环面码,该歧义可由两个参数完全刻画,分别量化EB条件与相干性。特别地,与折叠技巧相容的计算自然选取尊重电磁对偶的EB条件并设定特定参数值。
引用
@article{arxiv.2311.17569,
title = {Characterizing the ambiguity in topological entanglement entropy},
author = {Yingcheng Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.17569},
year = {2023}
}