广义 Moore-Read 分数量子霍尔态界面的纠缠熵
强关联电子
2020-07-13 v3
摘要
物质的拓扑有序相可以通过纠缠熵中一个普适的常数贡献来表征，该贡献被称为拓扑纠缠熵（TEE）。对于阿贝尔相，可以通过“切割-粘合”方法计算 TEE：将纠缠切割视为物理切割，用显式隧穿项耦合由此产生的无能隙边缘，并计算两条边缘之间的纠缠。我们向将此方法推广到非阿贝尔拓扑相迈出了第一步，重点关注填充因子 的广义 Moore-Read (MR) 分数量子霍尔态。我们考虑了不同 MR 态之间的界面，写出了显式的能隙相互作用（其动机来源于任意子凝聚图像），并计算了沿界面分布的纠缠切割的纠缠熵。我们的工作为理解任意子凝聚、非阿贝尔相的能隙界面与 TEE 之间的联系提供了新见解。
引用
@article{arxiv.2004.01720,
title = {Entanglement Entropy of Generalized Moore-Read Fractional Quantum Hall State Interfaces},
author = {Ramanjit Sohal and Bo Han and Luiz H. Santos and Jeffrey C. Y. Teo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.01720},
year = {2020}
}
备注
34 pages; 2 figures. v2: updated references. v3: minor edits