具有任意陈数的分数量子陈绝缘体的 Haldane 统计
强关联电子
2014-04-23 v1
摘要
在本文中，我们为具有任意陈数的分数量子陈绝缘体的基态和准空穴提供了解析计数规则。我们首先构建了分数量子陈绝缘体的赝势哈密顿量。这是通过将晶格问题映射到具有特殊工程边界条件的多分量连续变量量子霍尔系统的最低朗道能级来实现的。随后，我们分析了赝势哈密顿量的细环面极限，并提取了其零模简并度的计数规则（广义泡利原理，或 Haldane 统计），适用于每个布洛赫动量扇区。
引用
@article{arxiv.1310.6354,
title = {Haldane Statistics for Fractional Chern Insulators with an Arbitrary Chern number},
author = {Yang-Le Wu and N. Regnault and B. Andrei Bernevig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6354},
year = {2014}
}
备注
19 pages, 5 figures