来自能带结构n次根的分数量子陈绝缘体
强关联电子
2012-10-03 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提供了分数量子陈绝缘体的波函数和有效场论的部分子构造。我们还分析了晶格规范理论中的强耦合展开，这使我们能够可靠地将部分子规范理论映射到微观哈密顿量。我们表明，由于分数量子霍尔物理中特殊的能级层次，这种强耦合展开是有用的。我们的过程用Hofstadter模型说明，然后应用于最近数值研究的棋盘晶格模型中1/2填充的玻色子和1/3填充的费米子。由于我们的构造提供了从微观模型到有效部分子描述或多或少唯一的映射，我们无需调整任何连续参数即可获得与观测到的分数量子陈绝缘体处于相同相的波函数。
引用
@article{arxiv.1109.1569,
title = {Fractional Chern Insulators from the nth Root of Bandstructure},
author = {John McGreevy and Brian Swingle and Ky-Anh Tran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1569},
year = {2012}
}
备注
9+3 pages, 6 figures; v2: added refs, amplified discussion of deconfinement, improved discussion of translation invariance