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分数陈绝缘体中准空穴的表征

强关联电子 2015-01-22 v2

摘要

我们对环面几何结构上的 ν=1/2\nu=1/2 玻色子分数量子霍尔态以及分数陈绝缘体中的阿贝尔准空穴进行了详细研究。我们发现,通过在晶格上选择合适的长度单位,可以将分数陈绝缘体中准空穴的密度分布与相应分数量子霍尔态的密度分布联系起来。该长度单位仅取决于承载分数陈绝缘体的晶格模型。因此,一旦已知相应分数量子霍尔态的准空穴尺寸,就可以预测任何晶格模型中分数陈绝缘体的准空穴尺寸。我们讨论了晶格嵌入对准空穴尺寸的影响。我们还对分数陈绝缘体模型进行了准空穴编织,以探测这些激发的分数统计。编织相位的数值与理论预测精确吻合。

关键词

引用

@article{arxiv.1410.6551,
  title  = {Characterization of quasiholes in fractional Chern insulators},
  author = {Zhao Liu and R. N. Bhatt and Nicolas Regnault},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1410.6551},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 7 figures, published version