费米子 $\nu=1/3$ 分数陈绝缘体的表征与稳定性
强关联电子
2017-01-06 v3
摘要
利用无限圆柱几何结构上的无限密度矩阵重整化群方法，我们表征了 Haldane 蜂窝晶格模型中最低能带填充率为 时的 分数陈绝缘体态，并检验了其稳定性。我们通过 (i) 霍尔电导，(ii) 拓扑纠缠熵，(iii) 多体纠缠谱的 电荷谱流，以及 (iv) 任意子的电荷，研究了该态的手性和拓扑性质。与局限于小有限尺寸的数值方法相比，无限圆柱几何结构使我们能够直接访问并表征从金属态到分数陈绝缘体态的相变。我们发现该相变具有一级相变的迹象，且没有发现其他竞争相的证据。由于我们的方法不依赖于任何能带或子空间投影，我们能够证明在相互作用超过能隙的情况下分数态的稳定性，正如文献中所建议的那样。作为副产品，我们讨论了该技术中陈绝缘体的特征信号。
引用
@article{arxiv.1407.6985,
title = {Characterization and stability of a fermionic \nu=1/3 fractional Chern insulator},
author = {Adolfo G. Grushin and Johannes Motruk and Michael P. Zaletel and Frank Pollmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6985},
year = {2017}
}
备注
published version