在ν_T=2/3处调控分数量子拓扑绝缘体与竞争相
强关联电子
2026-03-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了一个自旋分辨、时间反演对称的最低朗道能级模型，该模型描述总填充因子ν_T=2/3的平带量子自旋霍尔系统。此类模型适用于例如自旋-谷锁定莫尔过渡金属二硫化物。两个自旋的相反陈数阻碍了量子霍尔铁磁体的形成，反而有利于其他相。我们研究了依赖于不同短程Haldane赝势V_m的相图，并揭示了几个相：分数量子拓扑绝缘体、相分离态、自旋极化分数量子霍尔态以及部分粒子-空穴变换的Halperin (111)态。赝势V_m的效应取决于m的奇偶性，即相对角动量。
引用
@article{arxiv.2506.20720,
title = {Tuning between a fractional topological insulator and competing phases at $\nu_\mathrm{T}=2/3$},
author = {Roger Brunner and Titus Neupert and Glenn Wagner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.20720},
year = {2026}
}
备注
8+16 pages, 5+21 figures