所有分数量子陈绝缘体的布洛赫模型波函数与赝势
强关联电子
2013-03-12 v2
摘要
我们在 C 分量最低朗道能级分数量子霍尔 (FQH) 效应中引入了一种类布洛赫基,该基纠缠了实空间与内禀自由度,并保持了 的全格点平移对称性。我们在此新基中实现了 Haldane 赝势哈密顿量。其基态即为模型 FQH 波函数,而我们的布洛赫基允许将这些模型波函数逐字转写至任意陈数 C 的分数量子陈绝缘体,从而获得了不同于以往所有提案的波函数。对于 ,我们的波函数与依赖于颜色的磁通插入版 Halperin 态及非阿贝尔颜色单态有关。随后,我们提供了 和 情形的大尺度数值结果。与以往提案相比,这种新方法带来了更高的重叠积分。我们还从能量和纠缠谱的角度,讨论了在我们的布洛赫基中从分数量子陈绝缘体到 FQH 的绝热延续。
引用
@article{arxiv.1210.6356,
title = {Bloch Model Wavefunctions and Pseudopotentials for All Fractional Chern Insulators},
author = {Yang-Le Wu and N. Regnault and B. Andrei Bernevig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6356},
year = {2013}
}
备注
6+epsilon pages, 2 figures. Published version. Added a discussion of the emergent particle-hole symmetry in a Chern band