铒/氧掺杂硅基发光二极管在 1.54 $\mu$m 的受激辐射
高能物理 - 理论
2021-08-04 v3 量子物理
摘要
用于信息传输的硅基光源（包括发光二极管（LED）与激光二极管（LD））对发展单片集成硅光子学十分迫切。离子注入掺铒离子（Er）的硅被认为是一种有前景的方法，但量子效率极低。本文报道了由新型深冷工艺制备的 Er/O 掺杂硅平面 LED 在 1.54 m 的电泵浦超线性发射。室温下实现受激辐射，阈值电流低至约 6 mA（约 0.8 A/cm2）。时间分辨光致发光与光电流结果揭示了载流子从硅间接导带弛豫电子转移至 Er3+ 的复杂动力学，该图像不同于常假设的能量通过硅宿主电子-空穴对复合转移。此外，LED 的放大发射可能源于深冷技术产生的准连续 Er/O 相关施主带。本工作为基于稀土掺杂硅在通信波长制备超辐射二极管或高效 LD 铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2012.04386,
title = {Entanglement wedge reconstruction and correlation measures in mixed states: modular flows versus quantum recovery channels},
author = {Mahdis Ghodrati},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.04386},
year = {2021}
}
备注
56 pages, 16 figures, v2: references added, v3:typos corrected + several clarifications