一维手性拓扑绝缘体的纠缠与粒子涨落

我们考虑具有缠绕数 $\mathcal{I}$ 的一般一维手性拓扑绝缘体的纠缠与粒子涨落的自拓扑保护。我们特别证明，当周期系统在空间上被划分为两个相等的部分时，单粒子纠缠谱在 $1/2$ 处有 $2|\mathcal{I}|$ 个受保护的本征值。因此粒子数涨落下界为 $\Delta N^2\geq |\mathcal{I}|/2$，纠缠熵下界为 $S\geq 2|\mathcal{I}|\ln 2$。我们注意到，我们的结果是直接将指标定理应用于微观模型得到的，而不依赖于与连续模型的等价性或针对缓慢变化边界的体-边对应关系。