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芯片上的黑洞:在固态系统中实现SYK模型的物理方案

无序系统与神经网络 2017-07-18 v3 强关联电子 超导电性 高能物理 - 理论

摘要

具有随机无穷范围相互作用的马约拉纳零模系统——Sachdev-Ye-Kitaev(SYK)模型——被认为与二维反德西特(AdS2_2)空间中极端黑洞的视界表现出引人入胜的联系。这一关联提供了一个可解量子力学模型与dilaton引力之间全息对偶的罕见例子。在此我们提出在固态系统中实现SYK模型的物理方案。所提出的装置采用在三维拓扑绝缘体(TI)与普通超导体界面处实现的Fu-Kane超导体。所需的NN个马约拉纳零模束缚在超导体中制造的纳米级孔洞上,该孔洞被NN个磁通量子穿过。我们表明,当系统调谐至表面中性点时(即化学势与TI表面态的狄拉克点重合)且孔洞具有足够不规则的形状时,马约拉纳零模由SYK哈密顿量描述。我们进行了广泛的数值模拟,以证明该系统确实展现出SYK模型预期的物理性质,包括热力学量和两点及四点关联函数,并讨论了实验中观测这些性质的方法。

关键词

引用

@article{arxiv.1702.04426,
  title  = {Black hole on a chip: proposal for a physical realization of the SYK model in a solid-state system},
  author = {D. I. Pikulin and M. Franz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1702.04426},
  year   = {2017}
}

备注

16 pages, 9 figures; v3