半导体器件含时漂移-扩散模型的HDG方法
数值分析
2018-11-27 v1
摘要
我们提出一种可杂交不连续Galerkin（HDG）有限元方法来近似含时漂移-扩散问题的解。该系统包含电子浓度的非线性对流扩散方程与电势的线性Poisson方程的耦合。系统中的非线性项为与的乘积。数值格式选择不当会降低收敛阶。为获得、及其梯度的最优HDG误差估计，我们采用两种不同的HDG格式分别离散化非线性对流扩散方程与Poisson方程。我们证明了半离散问题的最优阶误差估计，并给出数值实验以支持理论结果。
引用
@article{arxiv.1811.09705,
title = {An HDG Method for Time-dependent Drift-Diffusion Model of Semiconductor Devices},
author = {Gang Chen and Peter Monk and Yangwen Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.09705},
year = {2018}
}