纠缠负性的普适角贡献

人们已经认识到，纠缠面上的角会诱导出对纠缠熵和 R\'enyi 熵的新的普适贡献。本文利用场论与全息技术，研究了三维和四维 CFT 中纠缠负性的普适角贡献。我们聚焦于由纠缠负性的普适部分与纠缠熵的普适部分之比定义的量 $\chi$，它可表征可蒸馏纠缠的量。我们发现，对于大多数例子，$\chi$ 在奇异纠缠区域取较大值，这可能暗示可蒸馏纠缠增加。然而，也存在奇异表面处可蒸馏纠缠减少的反例。我们还探索了 $\chi$ 随耦合变化的行为，并观察到对于奇异纠缠面，可蒸馏纠缠的量在自由理论中通常最大，而在三维自由 Dirac 费米子中存在反例。对于由高阶导数引力描述的全息 CFT，$\chi$ 可能增大或减小，取决于相关参数的符号。我们的结果可能揭示了几何与可蒸馏纠缠之间更深刻的联系。