二聚化 Hofstadter 模型中的零霍尔电导拓扑边缘态
介观与纳米尺度物理
2015-11-30 v2
摘要
Hofstadter 模型是一个简单而有力的哈密顿量，用于研究晶格系统中的量子霍尔物理，展现其本质拓扑态。Hofstadter 模型中的晶格二聚化在半填充处打开一个能隙。在此我们表明，即使由此产生的绝缘体具有等于零的陈数，同时也会出现一对钉扎在特定动量处的边缘态双重态。我们证明这些态在动量空间中特定一维截面上由反演对称性拓扑保护，定义并计算了相应的不变量，并确定了实验探测这些新颖拓扑态的平台。
引用
@article{arxiv.1510.08651,
title = {Topological Edge States with Zero Hall Conductivity in a Dimerized Hofstadter Model},
author = {Alexander Lau and Carmine Ortix and Jeroen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08651},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures + Supplemental Material (6 pages)