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对角伊辛磁化率

数学物理 2009-11-13 v1 经典分析与常微分方程 math.MP

摘要

我们利用最近导出的方晶格伊辛模型对角两点关联函数的形因子展开,研究各向同性伊辛模型中仅施加磁场于晶格一条对角时的磁化率。我们精确求出相应磁化率的单粒子与双粒子贡献 χd(1)\chi_{d}^{(1)}χd(2)\chi_{d}^{(2)},并获得三粒子与四粒子贡献以及五粒子贡献 χd(5)(t){\chi}^{(5)}_d(t)(仅模一给定素数)的线性微分方程。利用这些精确线性微分方程,我们表明不仅是俄罗斯套娃结构,而且 n n 粒子贡献 χd(n)\chi_{d}^{(n)} 的线性微分算子的直和结构的确直接继承自形因子 f(n) f^{(n)} 的直和结构。我们表明第 n n 个粒子贡献 χd(n)\chi_{d}^{(n)} 的奇点出现在单位根处。当 n n\to \infty 时,这些奇点在单位圆 sinh2Ev/kTsinh2Eh/kT=1|\sinh2E_v/kT \sinh 2E_h/kT|=1 上变得稠密。

关键词

引用

@article{arxiv.math-ph/0703009,
  title  = {The diagonal Ising susceptibility},
  author = {S. Boukraa and S. Hassani and J. -M. Maillard and B. M. McCoy and N. Zenine},
  journal= {arXiv preprint arXiv:math-ph/0703009},
  year   = {2009}
}

备注

18 pages