纳米尺度上 Mott 绝缘体的远程空穴掺杂
强关联电子
2009-06-12 v1 材料科学
摘要
在极性与非极性钙钛矿氧化物之间的界面处，由于电子重构，此前已观察到异常的电子掺杂。我们报道了在仅由极性层组成的界面处的远程空穴掺杂，这是通过高分辨率硬 X 射线核心能级光电子能谱揭示的。在 LaAlO3/LaVO3/LaAlO3 三层结构中，随着 LaAlO3 覆盖层厚度的减小，钒的价态系统地从体相值 V3+ 演变为更高的氧化态。这些结果提供了一种合成方法，可在不 invoking 极性不连续性的情况下对过渡金属氧化物异质界面进行空穴掺杂。
引用
@article{arxiv.0806.2191,
title = {Remote hole-doping of Mott insulators on the nanometer scale},
author = {M. Takizawa and Y. Hotta and T. Susaki and Y. Ishida and H. Wadati and Y. Takata and K. Horiba and M. Matsunami and S. Shin and M. Yabashi and K. Tamasaku and N. Nishino and T. Ishikawa and A. Fujimori and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2191},
year = {2009}
}