LaAlO3/LaVO3 多层膜的硬 X 射线光电子发射研究
强关联电子
2008-01-18 v1 材料科学
摘要
我们利用探测深度高达约 的硬 X 射线光电子能谱，研究了由带隙绝缘体 LaAlO (LAO) 和 Mott 绝缘体 LaVO (LVO) 组成的多层膜的电子结构。LVO 的 Mott-Hubbard 能隙在界面处保持打开，表明该界面是绝缘的，这与 LaTiO/SrTiO 多层膜不同。我们发现，仅在 LVO 层顶部的界面处，LVO 中 V 的价态部分从 V 转变为 V，且 V 的含量随 LVO 层厚度的增加而增加。我们认为，消除极性异质结构固有的极性灾难的电子重构，是 LVO/LAO 界面处高度不对称价态变化的根源。
引用
@article{arxiv.0704.1837,
title = {Hard x-ray photoemission study of LaAlO3/LaVO3 multilayers},
author = {H. Wadati and Y. Hotta and A. Fujimori and T. Susaki and H. Y. Hwang and Y. Takata and K. Horiba and M. Matsunami and S. Shin and M. Yabashi and K. Tamasaku and Y. Nishino and T. Ishikawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.1837},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 7 figures