量子阱几何结构中Mott绝缘体LaVO3的电子结构
材料科学
2015-06-25 v1 强关联电子
摘要
我们使用X射线光电子能谱研究了嵌入LaAlO3中的Mott绝缘体LaVO3的电子结构。通过将LaAlO3的上层限制为3个单胞，可以探测到下方的LaVO3。V 2p芯能级谱同时具有V3+和V4+组分，并且当LaVO3厚度超过2个单胞时，结构表现出与块体样品相似的光谱。原子级平坦的表面使得可以研究发射角依赖性，这表明V4+局域在最顶层。这些结果证明了通过表面光谱学探测氧化物超薄膜中界面电子结构的潜力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607547,
title = {Electronic structure of the Mott insulator LaVO3 in a quantum well geometry},
author = {Y. Hotta and H. Wadati and A. Fujimori and T. Susaki and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607547},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 4 figures