邻近极性不连续性对莫特量子阱的调制掺杂
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们展示了在LaAlO3(001)极性表面附近的LaAlO3/LaVO3/LaAlO3量子阱中空穴注入的证据。当表面接近LaVO3层时，在10-15个晶胞的特征耦合长度以下，观察到电阻呈指数下降且正的塞贝克系数减小。我们将这种行为归因于从AlO2终止的LaAlO3表面的原子重构到钒价态的电子重构的交叉。这些结果表明了一种在氧化物薄膜异质结构中进行可调空穴掺杂的通用方法。
引用
@article{arxiv.0810.3469,
title = {Modulation Doping of a Mott Quantum Well by a Proximate Polar Discontinuity},
author = {T. Higuchi and Y. Hotta and T. Susaki and A. Fujimori and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3469},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 7 figures