Vlasov-Poisson 方程中掺杂分布的 reconstruction
偏微分方程分析
2024-01-11 v1
摘要
我们研究在已知区域边界入射与出射测量数据的条件下，反演稳态 Vlasov-Poisson 方程中掺杂分布的反问题。该问题源于半导体制造中的杂质识别。我们的结果表明，在适当假设下，掺杂分布可通过其产生的电场的渐近公式被唯一确定。
引用
@article{arxiv.2401.04834,
title = {Reconstruction of the Doping Profile in Vlasov-Poisson},
author = {Ru-Yu Lai and Qin Li and Weiran Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.04834},
year = {2024}
}