单极性半导体器件掺杂轮廓的贝叶斯反演
数值分析
2024-08-22 v1 数值分析
概率论
摘要
给出了针对单极性漂移扩散模型的无限维稳态线性化半导体器件反演掺杂轮廓问题的严格贝叶斯表述。目标在于估计掺杂轮廓的后验概率分布并计算其后验均值，从而实现从电压-电流测量中重构掺杂轮廓。通过证明半导体模型关于未知参数的有界性和连续性性，展示了贝叶斯逆问题的良定性。提出一种用于贝叶斯掺杂轮廓估计的预条件 Crank-Nicolson 马尔可夫链蒙特卡方法，采用基于物理的先验模型。二维二极管的数值结果说明了所提方法的有效性。
引用
@article{arxiv.2408.11485,
title = {Bayesian inversion for the identification of the doping profile in unipolar semiconductor devices},
author = {Leila Taghizadeh and Ansgar Jüngel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.11485},
year = {2024}
}