EUV诱导等离子体中的等离子体辅助放电与带电效应
等离子体物理
2020-12-08 v1 应用物理
摘要
过去几年中，EUV 光刻扫描系统已进入最先进集成电路（IC）的高产量制造，其关键尺寸小至 10 nm。该技术使用 13.5 nm 的 EUV 辐射，其穿过近真空 H2 背景气体，将掩模图案成像到晶圆上。高能 EUV 光子将背景气体激发为低密度 H2 等离子体。所产生的等离子体将在局部把近真空变为导电介质，并可使浮动表面与颗粒带电，即便远离直接 EUV 光束处亦然。本文将通过建模与实验讨论 EUV 诱导等离子体与平面电学之间的相互作用。我们表明 EUV 诱导等离子体可在远低于经典帕邢极限的条件下触发放电。此外，我们展示了 EUV 等离子体对颗粒与表面的带电效应。若不受控，这会导致掩模背面出现不可接受的高电压以及颗粒的生成与输运。我们展示了一种特殊的卸载序列，利用 EUV 诱导等离子体主动解决带电与缺陷挑战。
引用
@article{arxiv.2012.03027,
title = {Plasma-assisted Discharges and Charging in EUV-induced Plasma},
author = {Mark van de Kerkhof and Andrei M. Yakunin and Vladimir Kvon and Selwyn Cats and Luuk Heijmans and Manis Chaudhuri and Dmitry Asthakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.03027},
year = {2020}
}