EUV 诱导等离子体中碳刻蚀的数值与实验研究
等离子体物理
2016-02-18 v2
摘要
我们结合数值模拟与实验研究了氢等离子体存在下的碳刻蚀。我们对 EUV 脉冲期间及之后低密度 EUV 诱导等离子体的演化进行建模，以获得从等离子体到表面的能量分辨离子通量。通过将计算得到的离子通量与实验观测到的不同压力和离子能量下的刻蚀速率相关联，我们表明在低压力和低能量下，碳刻蚀由化学溅射引起，而在高压力和高能量下，反应离子刻蚀过程可能占主导。
引用
@article{arxiv.1507.02705,
title = {Numerical and experimental studies of the carbon etching in EUV-induced plasma},
author = {D. I. Astakhov and W. J. Goedheer and C. J. Lee and V. V. Ivanov and V. M. Krivtsun and O. Yakushev and K. N. Koshelev and D. V. Lopaev and F. Bijkerk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.02705},
year = {2016}
}