EUV 诱导的氢等离子体：扫描机中的脉冲模式运行与约束
等离子体物理
2021-05-24 v1
摘要
近年来，EUV 光刻扫描机系统已进入最先进集成电路（IC）的高产量制造，其关键尺寸小至 10 nm。该技术使用 13.5 nm 的 EUV 辐射，其经近真空 H2 背景气体成形并传输。该气体被 EUV 辐射激发为低密度 H2 等离子体，EUV 辐射由 EUV 光源中的激光产生等离子体（LPP）以脉冲模式运行产生。因此，在扫描机系统内由壁与反射镜构成的约束中，形成了还原性等离子体环境，必须详细理解该环境，以最大化反射镜在寿命期内的透射率并最小化扫描机中的分子与颗粒污染。除受辐照的反射镜、掩模与晶圆外，还必须考虑等离子体及自由基对周边结构材料的负载。本文概述扫描机背景下的 EUV 诱导等离子体。将特别关注受限几何中的等离子体参数，例如扫描机中掩模附近的区域内可能存在的参数。此外，还将讨论这些特定等离子体参数向离线装置的转化。
引用
@article{arxiv.2105.10029,
title = {EUV-induced Hydrogen Plasma : Pulsed Mode Operation and Confinement in Scanner},
author = {Mark van de Kerkhof and Andrei M. Yakunin and Dmitry Astakhov and Maarten van Kampen and Ruud van der Horst and Vadim Banine},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10029},
year = {2021}
}