如何提高 EUV 光刻能源效率？
光学
2024-05-21 v1 应用物理
摘要
本文讨论了一种简单、低成本且高效的双镜像投影仪方案及其简化的照明系统。相较于当前的六镜像 EUV 投影系统，EUV 源功率可降低 1/10。所需功率为 20 瓦，可实现每小时 100 个晶圆的加工速度。该提议的级联投影仪实现 0.2 NA（20 mm 场）和 0.3 NA（10 mm 场），可组装在类似 DUV 投影仪的圆柱管配置中，提供优异的机械稳定性和更易的装配与维护。EUV 光通过两枚狭长圆柱镜像引入掩模前方，位于衍射锥的两侧，实现平均法向照明，减少掩模三维效应。简化的照明系统提供对称的四极子偏轴照明，绕过中心遮挡，提高空间分辨率，同时实现 Köhler 照明。理论分辨率极限为 24 nm（20 mm 场），图像缩小系数为 x5，目标像距（OID）为 2000 mm。采用曲面掩模后，工具高度可降低至（OID）1500 mm，分辨率达 16 nm（10 mm 场）。该方案适用于移动应用及最新芯片技术的小尺寸芯片生产。
引用
@article{arxiv.2405.11717,
title = {Can we improve the energy efficiency of EUV lithography?},
author = {Tsumoru Shintake},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.11717},
year = {2024}
}
备注
16 pages, 15 figures, Photomask Japan symposium, Yokohama 2024