精细化的 EUV 掩模模型

为便于对高数值孔径极紫外光刻（EUVL）成像中的 EUV 掩模性能进行精确仿真，开发了一种由 Ru 保护层覆盖的 Mo/Si 多层膜以及 TaBN/TaBO 吸收层构成的极紫外（EUV）掩模叠层的精细化模型。该模型通过对最先进掩模空白板的实测 EUV 与 X 射线反射率进行联合分析推导得出。这两组测量数据采用联合自由形式分析流程处理，该流程基于自适应厚度薄至 0.25 nm 的子层集，给出高分辨率的 X 射线与 EUV 光学常数深度剖面，比仅由 EUV 反射率获得的描述更为精确。“自由形式分析”意指模型中层界面的形状由实验确定，而非由结构模型先验给定。为降低 EUV 成像仿真的数值开销，由高分辨率模型导出了多层膜与吸收层叠层、子层厚度大于 2 nm 且仅拟合 EUV 反射率的低分辨率模型。进行了严格的高数值孔径 EUVL 仿真，以将新模型的性能与我们先前的工作进行比较。