EUV掩模的严格有限元模拟：形状和材料参数的影响
光学
2009-11-13 v1 计算物理
摘要
我们提出了对具有技术缺陷（如侧壁角度和圆角）的EUV掩模的严格模拟。我们优化了两个不同的几何参数，以使数值结果与实验散射测量获得的结果相匹配。对于数值模拟，我们使用不规则网格上的自适应有限元方法。这使我们能够精确地模拟几何结构。此外，我们评论了域分解技术在EUV掩模模拟中的应用。几何掩模参数对衍射图案有很大影响。我们表明，使用精确的模拟工具，可以从散射测量中推断出EUV掩模的相关几何参数。这项工作是与先进掩模技术中心（AMTC，掩模制造）、德国联邦物理技术研究院（PTB，散射测量）、柏林祖斯研究所（ZIB）和JCMwave（数值模拟）合作的结果。
引用
@article{arxiv.physics/0610236,
title = {Rigorous FEM-Simulation of EUV-Masks: Influence of Shape and Material Parameters},
author = {J. Pomplun and S. Burger and F. Schmidt and L. Zschiedrich and F. Scholze and C. Laubis and U. Dersch},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0610236},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 8 figures (see original publication for images with a better resolution)