通过EUV散射测量与有限元分析进行EUV掩模计量学
光学
2010-11-12 v1 计算物理
摘要
极紫外（EUV）光刻被视为生产未来一代计算机技术的主要候选方案。由于EUV光的短波长（约13 nm），在生产过程中必须使用新型反射式掩模。满足这些EUV掩模高质量要求的先决条件是具备一种简单而准确的吸收层图案轮廓表征方法。在我们之前的工作中，我们证明了有限元法（FEM）非常适合EUV散射测量的仿真，并可用于从实验散射数据重构EUV掩模轮廓。在本文中，我们将间接计量方法应用于具有不同临界尺寸（140 nm和540 nm）以及大占空比范围（1:2, ..., 1:20）的周期性EUV线掩模。我们将重构的吸收层图案参数与直接AFM和CD-SEM测量获得的值进行了定量比较。我们分析了给定实验数据下重构的可靠性。对于吸收层线条的临界尺寸，比较显示一致性在1nm量级。此外，我们讨论了诸如区域分解算法和高阶有限元等特殊数值技术，及其对快速准确求解反问题的重要性。
引用
@article{arxiv.1011.2665,
title = {Metrology of EUV Masks by EUV-Scatterometry and Finite Element Analysis},
author = {J. Pomplun and S. Burger and F. Schmidt and F. Scholze and C. Laubis and U. Dersch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2665},
year = {2010}
}
备注
Photomask Japan 2008 / Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology XV