用于EUV光刻的高数值孔径同轴投影物镜

本文提出了一种用于高数值孔径(NA)EUV光刻的简单四反射镜同轴投影物镜,可消除最棘手的光掩模三维效应。该设计由两级凹凸透镜对组成,光学像差在每级内部以及两级之间相互抵消,方式类似于双高斯透镜。光射线通过每个反射镜的中心孔径,具有可接受的遮挡。数值孔径为0.5,Hyper-NA为0.7。曝光视场为直径26 mm的圆形。残余径向畸变在场边缘处高达数微米,且扫描运动会引起图像模糊。因此,我们需要回归到步进式设计,视场变为较小的18 mm × 18 mm方形。然而,这带来一个重要优势:我们可以去除光掩模侧的扫描机构。值得注意的是,在EUV曝光过程中,晶圆和光掩模均保持静止。这保证了优异的套刻控制,并提升了生产效率。该方法还有助于简化系统并降低电能消耗。照明通过位于掩模前方的两个矩形扫描反射镜提供,实现双线扫描视场,与离轴照明相匹配以增强分辨率,并绕过中心遮挡。