相空间第一性原理正反向弹道电子发射谱：Au/Ge(100)的肖特基势垒测定
材料科学
2022-10-21 v1
摘要
我们发展了一种相空间第一性原理形式体系，用于计算金属-半导体界面中的弹道电子发射谱电流-电压 I(V) 曲线。我们考虑正向偏压（）下向导带注入电子，以及反向偏压（）下向价带注入空穴或注入二次俄歇电子至导带。此处需要对半导体反型层（横跨数百埃）进行第一性原理描述。该形式体系有助于获得无参数的肖特基势垒最佳拟合值，而肖特基势垒是金属-半导体整流界面的关键工艺特征。我们将该理论应用于表征Au/Ge(001)界面；发现对于注入导带的电子——无论是直接注入还是由俄歇过程产生——存在双势垒，而向价带注入的空穴仅识别出单一势垒。
引用
@article{arxiv.2210.11263,
title = {Phase-Space Ab-Initio Direct and Reverse Ballistic-Electron Emission Spectroscopy: Schottky Barriers Determination for Au/Ge(100)},
author = {Andrea Gerbi and Renato Buzio and Cesar Gonzalez and Fernando Flores and Pedro L. de andres},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.11263},
year = {2022}
}
备注
35 pages, 11 figures. Appl. Surf. Sci (2022)