Hubbard模型中的金属-绝缘体转变：包含近藤效应的简单描述
强关联电子
2009-11-07 v3
摘要
在多电子表示中，利用单粒子格林函数考虑了半填充Hubbard模型的电子谱结构。我们得到了单站点Hubbard-III近似的简单解析推广，该推广考虑了费米激发（近藤项）。研究了金属-绝缘体转变问题。讨论了包括费米能级处“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。并与大维度计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103054,
title = {Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect},
author = {V. Yu. Irkhin and A. V. Zarubin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103054},
year = {2009}
}
备注
11 pages, RevTeX, 8 eps figures; extended version