Hubbard模型中填充可控金-绝缘相变的研究:算子投影方法
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
我们采用算子投影方法研究了填充可控金-绝缘相变(MIT)的热力学与动力学性质,尤其是在二维情形下。这是一个针对众多体系的非扰动解析方法。该理论将Mott-Hubbard、Brinkman-Rice和Slater pictures统一于一个框架内,并再现了由自旋-电荷涨落产生的低能窄带。半填充时,单粒子谱显示出两个 Hubbard 带及其反歇米尔顿阴影在能量和动量的平面上由Mott间隙分隔。这些四个带在色散中产生两个低能窄带和两个类似SDW的带。接近半填充时,低能窄带在低温下仍然存在。该窄带在动量和附近具有特别弱的色散和较大的权重。我们指出,这些低能激发的速度在向MIT趋近时趋于零,表明Brinkman-Rice picture中的质量发散,但最显著地出现在和附近,具有强动量依赖性。这反映了在MIT附近对相干性的抑制。能量和动量的平面上的主要结构与二维量子蒙特卡罗结果以及一维Hubbard模型的结果表现出显著相似性。在两种维度中,电荷压缩性随掺杂浓度的降低而发散,这与精确结果和量子蒙特卡罗结果一致。我们还讨论了近Fermi层形成的平坦色散对高Tc氧化物超导体观察结果的意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107291,
title = {Filling-Control Metal-Insulator Transition in the Hubbard Model Studied by the Operator Projection Method},
author = {Shigeki Onoda and Masatoshi Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107291},
year = {2009}
}
备注
33 pages, submitted to J. Phys. Soc. Jpn