单谷哈密顿量体边对应的边缘性
介观与纳米尺度物理
2010-12-10 v1
摘要
以带隙双层石墨烯（BLG）作为典型的多谷系统，我们研究了与其各个单谷相关的非平庸拓扑性质与其边缘及其他界面处无能隙模式之间的对应关系。我们发现，单谷霍尔电导率与无能隙边缘模式数之间的精确联系并不普遍成立，而是依赖于边界条件，即使不存在谷间耦合也是如此。这种非普适性归因于在 BLG 的给定谷内缺乏明确定义的拓扑不变量；然而，在某些情况下可以定义更一般的拓扑不变量，这解释了 BLG-真空界面与 BLG-BLG 界面之间的区别。
引用
@article{arxiv.1011.0654,
title = {Marginality of bulk-edge correspondence for single-valley Hamiltonians},
author = {Jian Li and Alberto F. Morpurgo and Markus Büttiker and Ivar Martin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.0654},
year = {2010}
}
备注
7 pages, 4 figures