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通过 $\mathbb{Z}_2$ 手征反常研究相互作用及分数拓扑绝缘体

强关联电子 2014-03-05 v2

摘要

最近的研究表明,2D2D3D3D 拓扑绝缘体的拓扑性质可由边界场论中的 Z2\mathbb{Z}_2 手征反常所刻画。然而,该反常是否在电子 - 电子相互作用下依然存在尚不清楚。我们证明了事实确实如此,从而为处理相互作用体系中的拓扑绝缘体提供了一种替代形式体系。我们通过投影/部分子 (parton) 构造将此形式体系应用于分数拓扑绝缘体 (FTI),并用它测试了所有以此方式描述的分数拓扑绝缘体的鲁棒性。我们开发的稳定性判据易于检验,且基于非相互作用部分子的对切换 (pairswitching) 行为。特别地,我们发现基于玻色子 Laughlin 态和 M=0M=0 玻色子 Read-Rezayi 态的 FTI 是脆弱的,并且在每个拓扑扇区中可能具有完全能隙且非简并的边缘谱。相比之下,具有 M=1M=1 和奇数 kkZk\mathbb{Z}_{k} Read-Rezayi 态以及具有 π/4\pi/4 分数 theta 项的玻色子 3D3D 拓扑绝缘体在拓扑上是稳定的。

关键词

引用

@article{arxiv.1311.6507,
  title  = {Interacting and fractional topological insulators via the $\mathbb{Z}_2$ chiral anomaly},
  author = {Maciej Koch-Janusz and Zohar Ringel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.6507},
  year   = {2014}
}

备注

Added references and fixed typos in ver.2