分数拓扑绝缘体：从滑动 Luttinger 液体到 Chern-Simons 理论
强关联电子
2015-08-27 v2
摘要
滑动 Luttinger 液体 (LL) 方法被应用于研究分数拓扑绝缘体 (FTI)。我们表明，对于现实的自旋 - 轨道耦合和电子 - 电子相互作用，FTI 是该理论的低能不动点。我们发现，即使在存在破坏自旋不变性的相互作用下，拓扑相依然存在，且这些项甚至扩展了其边界。最后，我们展示了 LL 中的一维手征反常导致了 FTI 态有效规范理论中拓扑 Chern-Simons 项的出现。
引用
@article{arxiv.1502.00236,
title = {Fractional Topological Insulators: from sliding Luttinger Liquids to Chern-Simons theory},
author = {Raul A. Santos and Chia-Wei Huang and Yuval Gefen and D. B. Gutman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00236},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 6 figures. Changes in style. Supplementary material expanded. Added references