分数 Chern 绝缘体的手性边缘激发
强关联电子
2025-10-10 v1 量子物理
摘要
边缘激发是手性拓扑有序系统的标志性特征。在连续分数量子霍尔 (FQH) 态中，这些激发由手性卢ting 液体 (LL) 理论描述。whether 这种有效描述是否适用于离散晶格上的分数 Chern 绝缘体 (FCI) 长期以来是一个悬而未决的问题。本文通过数值计算，演示了宽度为 的无限长条状 FCI 电荷为 1 的边缘谱函数量化遵循 LL 理论的预测。边缘谱是无能隙的、手性的且线性的，谱权随动量和能量的增大而线性增加。我们进一步分析了晶格尺寸、粒子数、阱 potentials 和激发电荷子域对边缘性质的影响。我们的结果在晶格 FCI 与连续 FQH 系统之间建立了明确的对应关系，并为未来实验检测手性边缘模式提供了指导。
引用
@article{arxiv.2510.07795,
title = {Chiral Edge Excitations of Fractional Chern Insulators},
author = {Xiao-Han Yang and Ji-Yao Chen and Xiao-Yu Dong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.07795},
year = {2025}
}