零贝里曲率能带中的分数陈绝缘体
强关联电子
2015-11-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
即使一个非相互作用系统在布里渊区处处具有零贝里（Berry）曲率，也可以引入相互作用来稳定分数陈绝缘体。这些相互作用必然破缺时间反演对称性（无论是自发地还是显式地），并具有改变底层能带结构的作用。我们概述了实现这一点的多种方法，并展示了类似的相互作用也可用于创造（时间反演对称的）分数拓扑绝缘体。虽然我们的方法在长程相互作用极限下是严格的，但我们通过数值表明，即使在短程相互作用下，也能在零贝里曲率的能带中稳定分数陈绝缘体。
引用
@article{arxiv.1506.08197,
title = {Fractional Chern Insulators in Bands with Zero Berry Curvature},
author = {Steven H. Simon and Fenner Harper and N. Read},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08197},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 2 figures; Published version